Em parceria com a Samsung, a IBM anunciou um novíssimo design em seus semicondutores. O novo projeto de Transistores de Efeito de Campo de Transporte Vertical (ou a sigla em inglês VTFET) é sucessão da tecnologia atual e permitirá que os chips sejam ainda mais carregados com transistores, se comparado aos modelos de hoje.

Esta é uma nova maneira de empilhar os transistores verticalmente em um chip, em vez de isto ser restrito apenas à superfície do semicondutor. Em suma, o novo design é capaz de empilhar os transistores verticalmente, permitindo que a corrente flua em ambas as direções na pilha de transistores, em vez da distribuição horizontal (lado a lado) usada até então. 

A seguir, confira um vídeo oficial ilustrando (em inglês) como serão os novos semicondutores:

Tal descoberta tecnológica foi realizada em esforço conjunto do Instituto de Tecnologia de Massachusetts (MIT), a Universidade Nacional de Taiwan (NTU) e a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC), atualmente o maior fabricante de chips avançados. O pilar da descoberta cita um processo que emprega bismuto semimetálico para permitir a fabricação de semicondutores abaixo do nível de 1 nanômetro (nm). 

Como informa o portal americano The Verge, os projetos verticais têm sido tendência. Tanto é que a Intel também parece querer seguir esta direção, embora o plano inicial da empresa seja empilhar componentes de chip em vez de transistores em individual.

Em julho, a Intel disse que pretende finalizar o design dos chips em “escala angstrom até 2024”. A empresa planeja realizar a façanha usando o novo Intel 20A e os transistores RibbonFET. 

Aplicações dos novos chips

Ainda estamos muito longe dos designs de VTFET usados em chips prontos para o mercado consumidor, mas tanto a IBM quanto a Samsung têm feito avanços na tecnologia com o anúncio de hoje. O projeto, em teoria, é capaz de ter “duas vezes melhor desempenho ou uma redução de 85% no uso de energia” se comparado aos projetos FinFET (de chips atuais).

Placa com chip.
A Intel também parece querer seguir esta direção, embora o plano inicial da empresa seja empilhar componentes de chip em vez de transistores em individual.

Ao envolver mais transistores nos chips, a dupla afirma que a tecnologia poderia “ajudar a manter o objetivo de aumentar constantemente a contagem de transistores em avanço”.

Eles também citam possíveis casos de uso para a nova tecnologia, como em baterias de smartphones que “poderiam durar mais de uma semana”, a mineração de criptomoedas e até a criptografia de dados, com menos consumo de energia. Além disso, podemos ver como isso pode ser aplicado também em dispositivos IoT (internet das coisas) com capacidade de serem mais potentes e até em naves espaciais. 

Inovações da IBM

No começo do ano, a IBM apresentou seu primeiro chip de 2 nanômetros, seguindo um caminho diferente para acumular mais transistores e, por consequência, otimizando o espaço útil do chip. Agora, o projeto VTFET pretende levar as coisas ainda mais longe.

De acordo com o portal Engadget, a IBM diz que o VTFET ajudará a expandir além de sua tecnologia nanosheet existente, “não necessariamente para chips mais densos que 1 nanômetro”. Ela também observou que pode-se ter melhorias extremas no desempenho ou na vida útil da bateria, mas não em ambos.

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